真空鍍膜技術(shù)與濕式鍍膜技術(shù)相比較，具有下列優(yōu)點：

(1)薄膜和基體選材廣泛，薄膜厚度可進(jìn)行控制，以制備具有各種不同功能的功能性薄膜。

(2)在真空條件下制備薄膜，環(huán)境清潔，薄膜不易受到污染，因此可獲得致密性好、純度高和涂層均勻的薄膜。

(3)薄膜與基體結(jié)合強(qiáng)度好，薄膜牢固。

(4)干式鍍膜既不產(chǎn)生廢液，也無環(huán)境污染。

真空鍍膜技術(shù)主要有真空蒸發(fā)鍍、真空濺射鍍、真空離子鍍、真空束流沉積、化學(xué)氣相沉積等多種方法。除化學(xué)氣相沉積法外，其他幾種方法均具有以下的共同特點：

(1)各種鍍膜技術(shù)都需要一個特定的真空環(huán)境，以保證制膜材料在加熱蒸發(fā)或濺射過程中所形成蒸氣分子的運動，不致受到大氣中大量氣體分子的碰撞、阻擋和干擾，并消除大氣中雜質(zhì)的不良影響。

(2)各種鍍膜技術(shù)都需要有一個蒸發(fā)源或靶子，以便把蒸發(fā)制膜的材料轉(zhuǎn)化成氣體。由于源或靶的不斷改進(jìn)，大大擴(kuò)大了制膜材料的選用范圍，無論是金屬、金屬合金、金屬間化合物、陶瓷或有機(jī)物質(zhì)，都可以蒸鍍各種金屬膜和介質(zhì)膜，而且還可以同時蒸鍍不同材料而得到多層膜。

(3)蒸發(fā)或濺射出來的制膜材料，在與待鍍的工件生成薄膜的過程中，對其膜厚可進(jìn)行比較精確的測量和控制，從而保證膜厚的均勻性。

(4)每種薄膜都可以通過微調(diào)閥精確地控制鍍膜室中殘余氣體的成分和質(zhì)量分?jǐn)?shù)，從而防止蒸鍍材料的氧化，把氧的質(zhì)量分?jǐn)?shù)降低到最小的程度，還可以充入惰性氣體等，這對于濕式鍍膜而言是無法實現(xiàn)的。

(5)由于鍍膜設(shè)備的不斷改進(jìn)，鍍膜過程可以實現(xiàn)連續(xù)化，從而大大地提高產(chǎn)品的產(chǎn)量，而且在生產(chǎn)過程中對環(huán)境無污染。

(6)由于在真空條件下制膜，所以薄膜的純度高、密實性好、表面光亮不需要再加工，這就使得薄膜的力學(xué)性能和化學(xué)性能比電鍍膜和化學(xué)膜好。

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