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加工裝飾品真空鍍膜

所屬分類：加工裝飾品
發(fā)布日期：2019-03-23

產品概述
性能特點
技術參數(shù)

蒸發(fā)物質如金屬、化合物等置于坩堝內或掛在熱絲上作為蒸發(fā)源，待鍍工件，如金屬、陶瓷、塑料等基片置于坩堝前方。待系統(tǒng)抽至高真空后，加熱坩堝使其中的物質蒸發(fā)。蒸發(fā)物質的原子或分子以冷凝方式沉積在基片表面。薄膜厚度可由數(shù)百埃至數(shù)微米。膜厚決定于蒸發(fā)源的蒸發(fā)速率和時間（或決定于裝料量），并與源和基片的距離有關。對于大面積鍍膜，常采用旋轉基片或多蒸發(fā)源的方式以保證膜層厚度的均勻性。從蒸發(fā)源到基片的距離應小于蒸氣分子在殘余氣體中的平均自由程，以免蒸氣分子與殘氣分子碰撞引起化學作用。蒸氣分子平均動能約為0、1～0、2電子伏。蒸發(fā)源有三種類型。
①電阻加熱源：用難熔金屬如鎢、鉭制成舟箔或絲狀,通以電流,加熱在它上方的或置于坩堝中的蒸發(fā)物質（圖1[蒸發(fā)鍍膜設備示意圖]）電阻加熱源主要用于蒸發(fā)Cd、Pb、Ag、Al、Cu、Cr、Au、Ni等材料；
②高頻感應加熱源：用高頻感應電流加熱坩堝和蒸發(fā)物質；
③電子束加熱源：適用于蒸發(fā)溫度較高（不低于2000[618-1]）的材料，即用電子束轟擊材料使其蒸發(fā)。
蒸發(fā)鍍膜與其他真空鍍膜方法相比，具有較高的沉積速率，可鍍制單質和不易熱分解的化合物膜。

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